绵阳塑料管材生产线价格 华泰证券：柔和光模块上游中枢材料发展机遇

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　　华泰睿想

　　中枢不雅点

　　跟着频年800G、1.6T光模块需求量的快速普及，以及当年3.2T期间的渐行渐近，咱们看好光模块上游中枢材料的发展机遇，本篇论说中咱们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底动作光芯片上游中枢原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、带宽等势，当年有望于3.2T可插拔案中迎来入窗口期，产业链成漫空间雄壮。

　　AI算力带动光模块需求增长，光芯片需求快速开释

　　跟着众人科技巨头连续加码AI算力投资，光模块产业链有望延续景气度。字据LightCounting于2026年1月发布的预测，众人速度（100G及以上）数通光模块阛阓限制有望由2025年的164亿好意思金延伸至2031年的521亿好意思金。光芯片动作光模块上游中枢原材料之，需求侧亦呈现增趋势，字据源杰科技港股招股书中的数据，预计众人光芯片阛阓限制有望由2024年的26亿好意思金增长至2030年的229亿好意思金，对应期间CAGR达44。

　　InP衬底：光芯片带动需求侧增长绵阳塑料管材生产线价格，行业具备壁垒

　　InP衬底是光芯片坐褥的中枢原材料之。跟着2026~2027年800G、1.6T光模块拉动光芯片需求快速开释，Lumentum、Coherent、源杰等国表里光芯片头部厂商均在积推行产能，InP衬底有望迎速发延期，Yole预测，众人InP衬底销量（折为2英寸）有望从2019年的50万片加多至2026年的128万片。众人InP衬底阛阓度围聚，日本住友、北京通好意思及日本JX占据90份额，咱们觉得需求增长布景下，新晋厂商有望获取入机遇。InP衬底的产业链可分手为纯原材料（红磷、金属铟等）→多晶成→单晶滋长、衬底制备→外延片/光芯片。

　　薄膜铌酸锂：3.2T渐行渐近，产业迎雄壮发展机遇

　　跟着3.2T光模块的渐行渐近，单通说念调制速度需达到400G，咱们判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制工具备带宽、低功耗、低损耗等面势，有望迎来入机遇。字据咱们的测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器阛阓空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271。薄膜铌酸锂的产业链可分手为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），各要津均具备较时期壁垒，我国厂商在以上各域均已取得积阐发，咱们看好推测厂商在3.2T期间有望理睬雄壮发展机遇。

　　产业链中枢要津厂商梳理

　　InP衬底：【纯铟】、【多晶成】、【InP衬底】推测公司。薄膜铌酸锂：【铌酸锂晶体材料】、【薄膜铌酸锂晶圆】、【薄膜铌酸锂调制器（芯片）】推测公司。具体公司梳理，请见研报原文。

　　风险辅导：云厂商成本开支插足不足预期；行业竞争加重；本研报中波及到未上市公司或未湮灭个股现实，均系对公开信息的整理，并不代表团队对该公司、该股票的荐或湮灭。

　　正文

　　柔和光模块上游中枢材料发展机遇：InP、薄膜铌酸锂

　　大集群竖立驱动AI算力产业链景气度持续普及。跟着众人科技大厂连续加码对AI算力的插足，大限制GPU集群动作本轮生成式AI算力基建的中枢形态，其竖立递次仍在快速进。举例博通在2025年6月事迹会中重申，预计至少三客户将在2027年部署百万卡集群；Marvell在2025年6月的投资者日中亦强调，客户的百万卡集群正在加快竖立；Meta在2025年10月OCP的演讲中提到，正在贪图当年数个GW别的大集群。咱们判断大集群的竖立将持续驱动GPU、光模块、交换机等算力硬件需求的快速开释。

　　光互联：大集群中枢拼图，遥远成漫空间雄壮。现在光互联基于长距离传输等势，已庸俗应用于大集群的Scale out集结，即跨机柜、大限制互联场景；遥远来看，咱们觉得光通讯有望向Scale up集结渗入，即机柜里面的互联场景。面前Scale up集结由于互联距离较短、互联限制有限，仍可连续使用铜聚首时期；而当年跟着信号传输速度的跳跃普及、Scale up域的跳跃扩展至多机柜，光互联势有望迟缓泄露，从而获取渗入率普及机遇。咱们觉得遥远来看，跟着光互联向Scale up的渗入，光通讯在AI基础设施投资中的价值量占比有望跳跃普及。

　　众人光模块阛阓模块有望快速延伸。在AI算力需求快速普及的带动下，众人速数通光模块阛阓限制有望快速延伸。字据LightCounting于2026年1月发布的论说《Optics for AI Clusters》，众人速度（100G及以上）以太网光模块阛阓限制有望由2025年的164亿好意思金延伸至2031年的521亿好意思金。

　　看好光模块上游中枢材料发展机遇——InP、薄膜铌酸锂。跟着频年800G、1.6T光模块需求量的快速普及，以及当年3.2T期间的渐行渐近，咱们看好光模块上游中枢材料的发展机遇，本篇论说中咱们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂基于低功耗、带宽等势，有望于3.2T可插拔案中迎来入窗口期，产业链成漫空间雄壮。

　　InP衬底：光芯片带动需求侧增长，行业具备壁垒

　　光芯片中枢上游原材料，衬底行业迎雄壮发展机遇

　　光芯片：需求端快速开释。跟着800G、1.6T等速光模块需求有望连续快速普及，光芯片（如100G/200G EML、70 mW /100mW CW光源等）动作光模块上游中枢物料，需求侧亦有望快速开释。字据源杰科技港股招股书中的数据，众人光芯片阛阓限制有望由2024年的26亿好意思金增长至2030年的229亿好意思金，对应期间CAGR为44。按卑劣阛阓拆分，数据中心占据主地位；按照光芯良晌期道路拆分，EML、CW光芯片为主力居品。

　　众人光芯片供应商积扩产纰漏产能瓶颈。众人光芯片头部厂商均在积推行产能：Lumentum于2026年2月的事迹评释会中暗示，有望提前杀青既定的扩产标的（公司在此前2025年11月暗示，光芯片产能预计在当年几个季度内推行40）；Coherent于2026年3月北好意思OFC中重申正在积普及6英寸InP晶圆的产能，且预计在年底前将公司光芯片的总产能杀青翻倍；源杰科技在2026年3月的投资者关系纪录表中暗示，跟着光芯片需求加多，公司正稳步进产能普及责任。

　　预计光芯片行业供不应求具备较长持续。咱们判断众人光芯片供不应求态势具备较长持续。面，鄙人游需求侧增长的布景下，行业供给端扩产时期周期较长，举例采购开荒（MOCVD等）、产能爬坡等均需要定时期；另面，行业具备较准初学槛，行业阵势较为围聚。字据源杰科技港股招股书，光芯片行业发展存在客不雅猖狂，包括产能扩产周期长、时期壁垒而端产能围聚、中短期内中枢材料与开荒受限、供应链阵势失衡等，法雀跃卑劣阛阓快速增长的需求，全体阛阓呈现供不应求的态势；具备时期智商（包括外延滋长、精度光栅刻蚀）且在运营率和快速反应智商面享有势的厂商，大约好地雀跃严苛条目，加入中枢供应链。字据Lumentum公司CEO于2026年4月接纳媒体采访时暗示，公司正越来越跟不上需求，仅需两个季度即可将2028年的产能一齐售罄，现在来看，这轮行业周期至少还能防守5年傍边的景气持续。

　　衬底是光芯片的中枢基础材料，InP衬底应用庸俗。衬底是半体器件制造过程顶用于维持和构建其他层的基础材料，可通过气相外延滋长等时期在其名义生成相应材料和结构。现在光模块中所需光芯片经常以Ⅲ-Ⅴ族化物为衬底材料。字据云岭光电公开转让评释书，其光芯片居品是在衬底上经过外延滋长、晶圆制造、芯片加工等多个格式制备而来。按照材料分手，光芯片衬底主要包括磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）两种体系，其中GaAs衬底主要用于制备VCSEL芯片，用于多模光模块中，应用场景为短距离光互联；InP衬底则是用于制备CW、DFB、EML等边辐射激光器芯片和PIN、APD探伤器芯片的中枢原材料，主要用于单模光模块中，应用场景为庸俗。

　　衬底是光芯片厂商的中枢原材料，在BOM中占比较。据国内光芯片龙头厂商源杰科技招股评释书中败露的数据，公司2022年1~6月的主要原材料采购中，衬底的采购金额占比为27.21，是BOM中大的单品类。其次包括金靶、稀奇气体（主要包括纯氢、磷化氢、液氮等）、三甲基铟、光刻胶、封装材料（包括管帽等）等。

　　AI算力需求动衬底需求持续延伸，行业具备门槛

　　阛阓限制：2026年众人InP阛阓限制有望达到2.02亿好意思元，卑劣应用以光模块为中枢。字据北京通好意思招股书援用Yole的预测，众人InP衬底销量（折为2英寸）将从2019年的49.9万片加多至2026年的128.1万片，对应2020-2026年CAGR为14.42；众人InP衬底阛阓限制将从2019年的0.89亿好意思元增长至2026年的2.02亿好意思元，2020-2026年CAGR为12.42。

　　分品类来看，InP衬底主要应用卑劣器件包括光模块器件、传感器件、射频器件：1）光模块器件：受益于东说念主工智能驱动的数据中心竖立，众人光模块需求持续加多，据Yole预测，2026年众人光模块器件InP衬底阛阓限制将达到1.57亿好意思元，约占众人InP衬底阛阓限制的77.7。2）传感器件：InP衬底可被用于制造可穿着开荒中的传感器，以及VR眼镜、汽车雷达等居品，据Yole预测，2026年众人传感器件InP衬底阛阓限制将达到0.32亿好意思元，约占众人InP衬底阛阓限制的15.8；3）射频器件：InP衬底在制造频功率器件、光纤通讯、线传输、射电天体裁等射频器件域存在应用阛阓，据Yole预测，2026年众人射频器件InP衬底阛阓限制将达到0.13亿好意思元，约占众人InP衬底阛阓限制的6.4。

　　光芯片需求动InP衬底阛阓景气度快速普及。瞻望当年，咱们觉得跟着速光模块阛阓限制频年来的快速延伸动下，其在InP卑劣阛阓中的比重有望跳跃普及。且计划到相较于此前主流应用于电信阛阓的DFB芯片等中低端居品，200G EML、大功率CW光源（400mW，当年有望应用于CPO场景）等端居品的坐褥难度、良率较低、芯单方面积大，所破费的InP衬底数目预计多，或有望动InP衬底需求量呈现加快增长趋势。好意思国AXT（北京通好意思控股母公司）于2026年2月事迹会中提到，受益于AI数据中心需求的快速延伸，公司InP衬底挤压订单达6000万好意思金，创历史新，且多个客户正在与公司签署遥远合同；公司正积扩产，标的至2026年底将产能较2025年底普及倍。

　　阛阓阵势：字据Yole的统计，InP衬底材料阛阓头部企业围聚度较，2020年CR3约90。InP衬底的制造包含多晶成（可外购）、单晶滋长、切割、研磨、抛光、清洗、测试等多个要津，工艺要津复杂，时期门槛较；同期，InP衬底迟缓向大尺寸迭代，对企业的开荒、工艺、时期蕴蓄条目较，跳跃普及行业准初学槛。据Yole数据，2020年众人前三大厂商占据InP衬底阛阓 90以上阛阓份额，其中Sumitomo（日本住友）为众人大厂商，占比为42；北京通好意思位居二，占比36；日本JX位居三，占比13。

　　InP衬底的上游中枢原材料之主要为InP多晶，字据北京通好意思招股书，由于当然界中不存在的InP多晶，因此需要将纯铟、红磷等原料通过东说念主工成制备为InP多晶；InP衬底厂商基于InP多晶等原材料进行InP单晶的滋长，再经过切割、磨边、研磨、抛光、清洗等多说念工艺后真空封装成衬底，其中InP单晶的滋长是衬底厂商的中枢工艺；InP衬底的下搭客户群体主要包括外延片厂商（将衬底制备为外延片后，再销售给光芯片厂商），或径直销售给光芯片厂商，其中外延片要津的代表厂商包括联亚光电、IQE等。

　　纯铟制备

　　InP衬底对上游原料金属铟的纯度条目较（6N及以上）。字据株洲科能招股书，铟属于稀散金属，因其具有可塑、延展、光渗入和电等特质，而以化物、金的形貌被庸俗应用。现在，铟的主要应用域是平板娇傲域，包括ITO靶材及新兴的铟镓锌氧化物（IGZO）靶材，占众人铟消费量的80；其次是半体域、焊料和金域、太阳能发电域等。坐褥ITO靶材关于铟的纯度条目般在4N5及以上，坐褥化物半体材料（举例InP衬底等）关于铟的纯度条目则，般在6N及以上。

　　纯铟的制备经过具备较时期和工艺壁垒。铅锌冶真金不怕火厂在冶真金不怕火主金属过程中会将铟动作产物综诓骗回收，并通过冶真金不怕火制取粗铟；再生铟回收厂通过将回收的尾料制取粗铟；粗铟经跳跃爽直提纯后形成精铟（纯度在4N-4N5）。精铟经纯化束缚后形成纯铟（5N以上）。纯铟制备过程中的提纯、电解、定向结晶等要津中均对应了较的时期和工艺门槛：企业要杀青纯稀散金属的产业化，除了要攻克制备和量产要津的枢纽时期除外，还要通过多量的坐褥实践以普及坐褥工艺、完善坐褥经过、升坐褥开荒。

　　国内纯铟供应阵势围聚，CR4达98。字据株洲科能招股书中的数据，国内纯铟阛阓的供应阵势较为围聚，2024年株洲科能市占率达49；其次为北京通好意思（25）、广东先（16）、楚雄川至（8），CR4达98。

　　InP多晶成

　　字据北京通好意思招股书，化物半体材料是由两种或两种以上元素以确信的原子配比形成的化物，由于当然界中不存在的InP多晶，因此先需要通过东说念主工成制备该等化物多晶，将两种纯度的单质元素按定比例装入PBN坩埚中，在温压环境下成化物多晶。现在日本Rasa、英国Wafer Technology等厂商已可杀青纯度InP多晶的成；部分衬底厂商（如日本住友、北京通好意思）也杀青了InP多晶的平允。

　　InP单晶滋长&衬底制备绵阳塑料管材生产线价格

　　字据北京通好意思招股书，化物半体单晶滋长的制备法有水平布里奇曼法（HB）、垂直布里奇曼法（VB）、液封切克劳斯基法（LEC）、垂直梯度冷凝法（VGF）。现在主流应用使用的InP衬底般为2-6英寸，VGF法坐褥单晶是主流且为的法之。北京通好意思的控股鼓舞AXT早在1986年即入手使用VGF法买卖化坐褥InP单晶，相较其他法而言，VGF法的之处如下：①在单晶直径上，现在HB法滋长的单晶直径大般是3英寸，LEC法滋长的单晶直径大不错到12英寸，然而使用LEC法滋长单晶晶体开荒插足成本，且滋长的晶体不均匀且位错密度大。现在VGF法和VB法滋长的单晶直径大可达8英寸，滋长的晶体较为均匀且位错密度较低；②在单晶质料上，VGF法滋长的晶体位错密度低且坐褥率踏实；③在坐褥成本上，HB法的成本低，LEC法的成本，VB法和VGF法坐褥的居品能访佛，然而VGF法取消了机械传动结构，可助力降本。

　　InP衬底连续向大尺寸演进，头部光芯片厂商已摄取6英寸案。InP衬底的直径越大，在单片衬底上可制造的光芯片数目越多，制造单元芯片的成本也越低。同期，在圆形的衬底上制造矩形的芯片会使衬底边际处的些区域法被诓骗，而衬底的直径越大，隔热条PA66生产设备相对而言衬底边际的亏欠会越小，故意于跳跃缩小光芯片的成本。Coherent于2026年2月的事迹评释会中暗示，公司光芯片产能的持续延伸收获于6英寸晶圆产能的普及：与3英寸晶圆相比，6英寸晶圆的光芯片产量可普及4倍以上，同期成本缩小50以上。

　　6英寸居品关于衬底厂商单晶滋长工艺忽视较条目。单晶体扩径时期需要综计划热场假想、扩径结构假想、晶体制备工艺假想等多面的工艺适度；大直径的衬底也对平整度、位错密度、名义颗粒度忽视了的条目，跟着衬底尺寸的扩大，对化物半体单晶生万古期和衬底切磨抛洗时期的条目也连续提。字据北京通好意思于2022年8月公布的招股书，北京通好意思和日本住友分别使用VGF和VB时期不错滋长出直径6英寸磷化铟单晶，日本JX使用LEC时期不错滋长出直径4英寸的InP单晶。AXT于2026年2月事迹会中提到，公司正加多对6英寸InP产线的投资，以雀跃客户对EML、硅光等居品的需求。

　　国产厂商持续进布局，紧握InP衬底阛阓景气机遇。1）云南锗业：公司于2026年4月3日发布公告，欢跃控股子公司云南鑫耀实施“品性磷化铟单晶片竖扬名目”，名目缠绵总投资近1.9亿元，由云南鑫耀在现存产能基础上扩建条年产30万片（折4英寸诡计，其中包括6000片6英寸）品性磷化铟单晶片坐褥线，终达到年产45万片（折4英寸）品性磷化铟单晶片的产能。字据讯石光通讯此前于2025年8月的报说念，九峰山实验室在见效开发出6英寸InP基PIN结构探伤器和FP结构激光器的外延滋长工艺，这次时期冲破中6英寸InP衬底作云南鑫耀的6英寸品性InP单晶片产业化枢纽时期已杀青冲破，量产在即。

　　2）珠海鼎泰芯源：字据博杰股份于2026年4月在交往所互动平台上的回答，博杰股份参股的珠海鼎泰芯源勤苦于以InP、GaSb为主的Ⅲ-Ⅴ族化物半体单晶及衬底材料的国产化办事；由于卑劣光模块需求增长，InP衬底需求量相应增长，珠海鼎泰芯源正积扩产中。

　　3）广东先：字据南日报于2026年2月的报说念，广东先微电子（先稀材旗下）自主研发的VGF法InP单晶生万古期，搭配低挫伤晶片抛光和洁净名义清洗枢纽时期，见效产出低位错密度、电能踏实、平整度、名义洁净的6英寸InP衬底。其中，位错密度和平整度两项中枢时期方针于海外同业，达到国内先、水平。

　　薄膜铌酸锂：3.2T渐行渐近，产业迎雄壮发展机遇

　　跟着GPU/ASIC的持续迭代升，数据中心光模块已杀青从400G到800G再到1.6T的演进，当年3.2T亦有望加快入。面前400G~1.6T单模光模块的调制式主要有EML和硅光两种形态；而3.2T光模块中单通说念调制速度需达到400G，咱们判断薄膜铌酸锂（TFLN：thin-film lithium niobate）相比于纯硅光调制工具备带宽、低功耗、低损耗等面势，有望以低功耗的式杀青单波400G的调制，从而迎来入机遇。字据咱们的测算2031年薄膜铌酸锂调制器阛阓空间有望达3.82亿好意思金。薄膜铌酸锂的产业链可分手为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），咱们觉得3.2T期间产业链有望理睬雄壮发展机遇。

　　AI算力持续迭代，3.2T光模块有望加快入

　　AI算力持续迭代，3.2T光模块有望加快入。跟着GPU/ASIC的持续迭代升，数据中心光模块已杀青从400G到800G再到1.6T的演进，字据LightCounting于2026年1月发布的《Optics for AI Clusters》论说，2026年众人以太网光模块阛阓限制有望达260.84亿好意思金，其中800G光模块占比为53.85，1.6T占比达22.60，二者计渗入率较2023年普及53.67pct；在此趋势下，3.2T光模块也有望迎来加快入，LightCounting预计2028年3.2T光模块阛阓限制有望达13.96亿好意思金，2031年有望普及至240亿好意思金。

　　单波200G光信号的调制式：EML、硅光。按照光信号的调制式分手，面前400G~1.6T单模光模块主要有EML和硅光两种形态，举例1.6T单模光模块的光信号可由8颗200G EML产生，也可由8通说念的硅光芯片PIC（每通说念200G）产生。字据Lumentum官网信息，200G EML已杀青量产出货；Tower官网于2024年11月布告，基于其新的硅光子（SiPho）平台，已入手为多主要客户批量坐褥单通说念200G的1.6Tbps硅光子居品。

　　单波400G调制器判断：薄膜铌酸锂有望迎来入。3.2T光模块中单通说念光信号调制速度需达到400G，对调制器的能条目跳跃普及。字据《好意思国买卖资讯》于2026年3月的报说念，HyperLight履行官张勉暗示：“单通说念400G是TFLN势泄露的个典型例子。诚然从带宽的角度来看，单通说念400G将很多时期向了限，但TFLN提供了有余的带富裕度，同期保持了低驱动电压。这不仅杀青了出的可制造，还权贵缩小了模块功耗。”咱们判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制工具备带宽、低功耗、低损耗等势，有望以低功耗的式杀青单波400G的调制，从而在3.2T期间迎来入机遇。

　　单波400GEML、硅光案持续进，助力3.2T居品落地。字据讯石光通讯于2026年3月20日报说念及公司官网新闻稿，OFC2026现场部分头部厂商展示了3.2T可插拔光模块居品。其中EML案，Coherent、Lumentum等厂商展示了单通说念400G EML居品，且暗示已通过期期考证；硅光面，Coherent在OFC2026现场展示了单通说念400G的硅光光模块居品，此外赛勒科技等厂商也对单通说念400G的硅光芯片进行了展示。

　　单波400G薄膜铌酸锂案亮相OFC，新代调制案有望杀青落地。字据江苏铌奥光电官网，公司在OFC 2026上展示了应用铌酸锂时期的400G/lane PAM4（1.6T DR4）、200G/lane PAM4（1.6T DR8/800G DR4）芯片，居品适配1.6T等下代速光模块需求，跳跃夯实了国产薄膜铌酸锂案的时期竞争力。国内厂商杀青时期展示与量产冲破，也加快动单波400G调制案走向限制化商用落地。

　　相比于硅光道路，薄膜铌酸锂具备权贵的带宽、低功耗、低损耗特。字据论文《铌酸锂晶体、单晶薄膜过甚在光芯片产业的当年布局》（陈昆峰、薛冬峰等，《前瞻科技》2025年1期），铌酸锂调制器以其速度、低功耗、信噪比等点，庸俗应用于速主线光通讯网、海底光通讯网、城域中枢网等域。大尺寸光刻时期、低损耗波加工工艺和异质集成等枢纽时期，动了薄膜铌酸锂调制器的发展，使其得以维持1.6T和3.2T速光模块应用。相比磷化铟、硅光和传统的铌酸锂等材料，薄膜铌酸锂具备带宽、低功耗、低损耗、小尺寸，以及可杀青晶圆多数目坐褥等杰出特质，有望以旅途杀青单波400G的调制，从而迎来入机遇。

　　薄膜铌酸锂调制器阛阓空间定量测算

　　字据咱们的测算，预计仅3.2T光模块所带动的薄膜铌酸锂调制器阛阓限制有望于2031年达3.82亿好意思金（近30亿rmb），对应2029~2031年CAGR达271。咱们基于如下假定：

　　1） 字据LightCounting于2026年1月发布的《Optics for AI Clusters》论说，预计众人数通光模块（100G及以上）出货量有望由2025年的7542.0万只增长至2031年的3.3亿只，其中3.2T光模块出货量有望于2028年冲破312.0万只，2031年将快速增长至1.2亿只。

　　2） 咱们判断3.2T光模块有望入手引入薄膜铌酸锂作念调制案，字据LightCounting的预测，2027~2031年薄膜铌酸锂在3.2T光模块中的渗入率预计分别为5.0、10.0、15.0、20.0、25.0，对应3.2T光模块中薄膜铌酸锂居品出货量分别为1.7万只、31.2万只、420.5万只、1326.0万只、3109.3万只。

　　3） 单机价值量面，Gartner2025年预测，2026–2030年TFLN材料成今年复降幅达20.0，2030年较2025年着落70.0以上。字据咱们假定，单只3.2T光模块中的薄膜铌酸锂调制器（芯片）运行价值量为30.0好意思金，且预计2027~2031年年降幅为20.0，对应各年度单机价值量分别为30.0好意思金、24.0好意思金、19.2好意思金、15.4好意思金、12.3好意思金。

　　基于以上数据及假定测算，2031年众人数通光模块带来的薄膜铌酸锂调制器需求对应的阛阓限制有望达3.82亿好意思金，对应2029~2031年CAGR达271。

　　产业链梳理：壁垒工艺构筑护城河，国产厂商度参与

　　薄膜铌酸锂产业链从上游到卑劣可大约分手为：铌酸锂材料晶体→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂芯片（调制器）→结尾的光模块厂商。其中光学铌酸锂单晶的制取是产业链的上游要津，此前该阛阓遥远被日本厂商把持，现在国内的天通股份、南智芯材等厂商已杀青国产化冲破；薄膜铌酸锂晶圆中枢工艺是在硅材料的衬底上进行键等，国内头部厂商包括济南晶正、上海新硅聚等；薄膜铌酸锂调制芯片厂商则通过光刻、物理轰击刻蚀或化学机械抛光工艺，制备TFLN芯片，众人代表厂商包括江苏铌奥光电、Hyperlight等。

　　铌酸锂晶体制备

　　铌酸锂单晶是TFLN产业链的中枢上游要津。字据论文《铌酸锂晶体过甚应用笼统》（孙军、郝永鑫等，《东说念主工晶体学报》2020年六期），铌酸锂晶体是卑劣射频声学器件、速光调制器、集成光子芯片等应用的载体，其产业化智商是悉数铌酸锂产业发展的底层撑持。单晶制造是决定卑劣器件能上限、量产良率与成本适度的底层基础，具备较的产业链地位。动作制备铌酸锂晶圆的中枢基底材料，其晶体竣工、光学均匀、尺寸规格决定了后续薄膜铌酸锂调制器的电光带宽、插入损耗等中枢能。字据应用场景、能条目与制备难度的相反，铌酸锂晶体可分为声学与光学两大品类。

　　声学铌酸锂晶体面向压电声学器件应用，国内已杀青自主可控与限制化量产。字据论文《铌酸锂晶体过甚应用笼统》（孙军、郝永鑫等，《东说念主工晶体学报》2020年六期），应用于压电器件的铌酸锂晶体时期方针条目主要包括居里温度、单畴化和里面散射颗粒等，晶体中传播波长较长的机械波，对圭臬远比波长小的晶格劣势等不解锐，经常把雀跃压电应用的铌酸锂晶体称为声学铌酸锂晶体。声学铌酸锂材料被庸俗应用于智高东说念主机、5G基站的射频前端SAW/BAW滤波器，是电子开荒信号滤波、抗打扰的中枢元器件；除此除外也用于工业/医疗激光的声光调制器、压电传感器、精密驱动器件。国内天通股份等企业已杀青声学铌酸锂晶体的自主可控。

　　光学铌酸锂晶体面向端光电器件应用，时期门槛于声学。字据论文《铌酸锂晶体过甚应用笼统》（孙军、郝永鑫等，《东说念主工晶体学报》2020年六期），除压电应外，铌酸锂晶体的光电应至极丰富，其中电光应、非线光学应能杰出，应用也为庸俗，可用于制备电光调制器、相位调制器、集成光开关、电光调Q开关、电光偏转、电压传感器、波前探伤、光参量回荡器以及铁电晶格等器件。与压电应用不同，这些波及光学传输的应用对铌酸锂晶体忽视了不同的条目。先，光学应用的铌酸锂晶体中传播的是光波，波长从数百纳米到几微米，不仅需要晶体具有异的光学均匀，还需要对圭臬不错和光波波长相相比的晶体劣势进行严格适度；其次，动作光学应用经常需要适度光波在晶体中传播时的相位、偏振等参量，这些参量与晶体的折射率大小和折射率漫衍径直推测，因此还需尽可能排斥晶体的里面应力和外部应力，避光弹应致的应力双折射。雀跃光学应用需求的铌酸锂晶体经常被称为“光学铌酸锂晶体”。

　　光学铌酸锂晶体国产替代持续进。光学铌酸锂材料详察产的大瓶颈是光学品性的致，包括晶体材料本人的组分、劣势、微结构的致，以及电光学机械抛光工艺加工晶片的精度等。此前，主要日本企业在光学铌酸锂滋长先。现在国内厂商中，天通股份、南智芯材、恒元半体等厂商均已杀青了光学铌酸锂的量产，为全产业链的国产化提供了坚实基础。字据天通股份2025年半年报，2025年6月，公司依然见效制备出12英寸光学铌酸锂晶体，为下代速光电子器件的大限制、低成本、能制造奠定了材料基石，动推测产业链向集成度、低功耗和强的向加快发展；字据苏州市科技局于2026年2月的报说念，南智芯材已完成6英寸、8英寸到12英寸的全系列居品布局，迟缓破海外皮大尺寸光学铌酸锂阛阓的把持时局，动国产化进度提速。

　　薄膜铌酸锂晶圆滋长

　　精度径直键时期是制备薄膜铌酸锂晶圆的中枢工艺。薄膜铌酸锂晶圆的中枢结构，是将百纳米的铌酸锂单晶薄膜，通过键工艺与衬底晶圆（经常为硅、二氧化硅衬底）杀青原子别的结，形成“衬底-缘层-铌酸锂薄膜”的异质集成结构。铌酸锂单晶本人脆强，要杀青纳米厚度的单晶薄膜挫伤剥离、劣势键，对键环境洁净度、晶圆名义平整度、键温度与压力适度、应力排斥时期均有着近乎严苛的条目。现在众人主流的量产案为离子注入改与径直键的协同工艺，其中键工艺的良憨径直决定了晶圆的量产成本，键强度与界面质料径直决定了晶圆的光学损耗与遥远可靠，是杀青薄膜铌酸锂晶圆从实验室研发到限制化商用的中枢卡点。

　　国内龙头厂商跑，最初杀青产业化量产。字据论文《铌酸锂晶体、单晶薄膜过甚在光芯片产业的当年布局》（陈昆峰、薛冬峰等，《前瞻科技》2025年1期），济南晶正为国内薄膜铌酸锂晶圆的先企业，是众人少有的杀青4-8英寸全尺寸、声学+光学全品类湮灭的厂商，可杀青300-900nm薄膜厚度的可控，中枢居品在厚度均匀、劣势扼制、光学损耗等枢纽方针上均处于众人顶水平，亦然业内杀青8英寸X轴光学铌酸锂薄膜量产的企业，撑持了众人90以上的铌酸锂薄膜器件研发与产业化落地，时期壁垒与产业地位较。国内厂商上海新硅聚已杀青4-6英寸居品布局，跳跃完善了国内LNOI产业链的供给梯队。

　　薄膜铌酸锂调制器（芯片）制备

　　光刻与刻蚀工艺构筑中枢时期壁垒，径直决定波能与芯片良率。与传统的硅基或磷化铟材料不同，将一语气的薄膜转机为杀青光信号传输的“脊型波”濒临着大的工艺挑战。字据乔玲玲等2021年4月在《光学学报》发表的特邀综述《低损耗铌酸锂光子学》，铌酸锂材料在常温下具备强的化学踏实和物理硬度，旧例的化学湿法腐蚀和传统的反应离子刻蚀（RIE）均法在此材料上加工出平滑的微纳结构。因此，质料薄膜图形化的杀青，依赖于精度紫外光刻（DUV）进行图案转机，并结能氩离子束（Ar+）纯物理轰击刻蚀或化学机械抛光（CMP）工艺；李庚霖等2020年5月7日发表在《物理学报》上《缘体上铌酸锂薄膜片上光子学器件的谈论阐发》谈论娇傲，图形化过程中的工艺精度——超越是刻蚀度、侧壁倾角以及亚纳米浅显度，径直决定了芯片的光学散射损耗与电光调制率。

　　400G薄膜铌酸锂调制芯片产业化落地加快。字据Business Wire于2026年3月的报说念，HyperLight布告出其145GHz封装强度调制器（IM），该调制器大约维持每通说念448Gbps的强度调制径直检测（IMDD）、260GBaud干系链路以及宽带射频光子学系统。江苏铌奥光电于OFC 2026展示了400G PAM4 （1.6T DR4）、200G PAM4 （1.6T DR8/800G DR4） 芯片、128/256GBaud PDM-IQ 芯片、带宽（>130 GHz）芯片等TFLN芯片与器件的新址品。字据安孚科技2025年年报，2025年易缆微见效完成众人发硅光异质集成薄膜铌酸锂单波400Gbps光芯片，时期水平处于众人先地位，可雀跃1.6T/3.2T光模块、光电共封装CPO、全光交换OCS等新代东说念主工智能算力中心应用场景需求。

　　风险辅导

　　云厂商成本开支插足不足预期：数据中心光模块需求同云厂商成本开支推测，若云厂商放缓成本开支插足，关于光模块以及上游中枢原材料的需求将产生影响。

　　行业竞争加重：若行业竞争加重，产业链厂商销售居品价钱或有承压，则将对产业链盈利智商、事迹等形成影响。

　　本研报中波及到未上市公司或未湮灭个股现实，均系对公开信息的整理，并不代表本团队对该公司、该股票的荐或湮灭。

累赘裁剪：凌辰

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